DEPENDENCE OF THE ELECTRON CROSS-SECTION FOR THE ACCEPTOR GOLD LEVEL IN SILICON ON THE GOLD TO DONOR RATIO

被引：16

作者：

MORANTE, JR ^{[1
]}

CARCELLER, JE ^{[1
]}

HERMS, A ^{[1
]}

CARTUJO, P ^{[1
]}

BARBOLLA, J ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV SARAGOSSA,FAC SCI,DEPT ELECT & ELECTR,SARAGOSSA,SPAIN

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1982年 / 41卷 / 07期

关键词：

D O I：

10.1063/1.93603

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：656 / 658

页数：3

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共 21 条

[21] TRAP DEPTH AND ELECTRON-CAPTURE CROSS-SECTION DETERMINATION BY TRAP REFILLING EXPERIMENTS IN SCHOTTKY DIODES [J].

ZYLBERSZTEJN, A .

APPLIED PHYSICS LETTERS, 1978, 33 (02) :200-202