OBSERVATION OF INTERNAL STRUCTURE OF A POSITIVE PHOTORESIST IMAGE USING CROSS-SECTIONAL EXPOSURE METHOD

被引：5

作者：

UETANI, Y

HANABATA, M

FURUTA, A

机构：

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B | 1989年 / 7卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1116/1.584787

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：569 / 571

页数：3

共 5 条

[1]

DEFOREST WS, 1975, PHOTORESIST MATERIAL, pCH1

[2] CHARACTERIZATION OF POSITIVE PHOTORESIST [J].

DILL, FH ;

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[4]

HANABATA M, 1987, ADV RESIST TECHNOLOG, V771, P85

[5]

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