CHARACTERIZATION OF POSITIVE PHOTORESIST

被引：498

作者：

DILL, FH ^{[1
]}

HORNBERGER, WP ^{[1
]}

HAUGE, PS ^{[1
]}

SHAW, JM ^{[1
]}

机构：

[1] IBM CORP,THOMAS J WATSON RES CTR,YORKTOWN HEIGHTS,NY 10598

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1975.18159

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：445 / 452

页数：8

共 7 条

[1]

DILL FH, 1974, OCT P KOD MICR SEM S

HERRICK, CE .

[3]

HORNBERGER WP, 1974, OCT P KOD MICR SEM S

KONNERTH, KL .

[5]

NEUGEBAUER W, 1965, Patent No. 3201239

[6]

NEUREUTHER AR, 1974, APR P MICR RES I S B

[7]

SCHAULE M, COMMUNICATION