YET ANOTHER MODE OF OSCILLATION IN GAAS - GUNN OSCILLATIONS IN INDIUM ARSENIDE - CURRENT SATURATION AND INSTABILITY IN CDTE AND ZNSE

被引：1

作者：

GUNN, JB

ALLEN, W

SHYAM, WA

PEARSON, GL

LUDWIG, GW

HALSTED, RE

EVEN, M

机构：

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1966年 / ED13卷 / 8-9期

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1966.15760

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

收藏

页码：671 / +

页数：1

相关论文

共 1 条

[1] GUNN EFFECT IN POLAR SEMICONDUCTORS [J].

FOYT, AG ;

MCWHORTER, AL .

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 1966, ED13 (01) :79-+