DISTRIBUTION OF ELECTRON-BOMBARDMENT-INDUCED RADIATION DEFECTS WITH DEPTH IN SILICON

被引：20

作者：

FLICKER, H

LOFERSKI, JJ

机构：

来源：

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1963年 / 34卷 / 08期

关键词：

D O I：

10.1063/1.1702704

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：2146 / +

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共 13 条

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