CURRENT INDUCED AVALANCHE IN EPITAXIAL STRUCTURES

被引：41

作者：

WROBEL, TF ^{[1
]}

COPPAGE, FN ^{[1
]}

HASH, GL ^{[1
]}

SMITH, AJ ^{[1
]}

机构：

[1] KTECH CORP,ALBUQUERQUE,NM 87110

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1985.4334056

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：3991 / 3995

页数：5

共 7 条

[1]

AZAREWICZ JL, 1983, DNATR81339 JAYC REP

[2]

GHANDHI SK, 1977, SEMICONDUCTOR DEVICE

[3]

SMITH AB, UNPUB

[4]

SZE SM, 1981, PHYSICS SEMICONDUCTO

[5] CURRENT GAIN AND CUTOFF FREQUENCY FALLOFF AT HIGH CURRENTS [J].

WHITTIER, RJ ;

TREMERE, DA .

[6] HIGH-DOSE RATE BURNOUT IN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS [J].

WROBEL, TF ;

AZAREWICZ, JL .

[7]

WROBEL TF, 1974, INTELRT8025480 IRT C