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- [1] PHOTOLUMINESCENCE FROM INGAAS-GAAS STRAINED-LAYER SUPERLATTICES GROWN BY FLOW-RATE MODULATION EPITAXY[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS, 1988, 52 (02) : 123 - 126SATO, MHORIKOSHI, Y
PHOTOLUMINESCENCE FROM HIGHLY-FLAT-INTERFACE INAS/GAAS HETEROSTRUCTURES GROWN BY FLOW-RATE MODULATION EPITAXY
被引：6
作者：
SATO, M
HORIKOSHI, Y
机构：
关键词：
D O I：
10.1016/0022-0248(88)90648-3
中图分类号：
O7 [晶体学];
学科分类号：
0702 ;
070205 ;
0703 ;
080501 ;
摘要：
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