ELECTRON DAMAGE ORIENTATION EFFECTS IN SILICON SOLAR CELLS

被引：3

作者：

GRIMSHAW, JA

机构：

来源：

PHYSICS LETTERS | 1966年 / 22卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1016/0031-9163(66)91183-8

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：372 / &

共 13 条

[1]

BAIKER JA, 1963, PHYS REV, V129, P1174

CORBETT, JW ;

WATKINS, GD .

PHYSICAL REVIEW, 1965, 138 (2A) :A555-&

[3]

DOWNING RC, 1964, 41616004KU000 TRW SP

[4] ANISOTROPY OF DEFECT FORMATION IN RADIATED SILICON [J].

FANG, PH .

PHYSICS LETTERS, 1965, 16 (03) :216-&

[5]

FLICKER H, 1962, PHYS REV, V128, P2257

[6]

HADDAD IN, IN PRESS

[7]

HADDAD LN, 1965, PHILOS MAG, V12, P1203

[8]

Hadley N., 1981, NBS MONOGRAPH

[9]

KOHN W, 1954, PHYS REV, V94, P1409

[10]

KRYUKOVA IV, 1964, FIZ TVERD TELA, V6, P329