CCD LINE ADDRESSABLE RANDOM-ACCESS MEMORY (LARAM)

被引：4

作者：

GUNSAGAR, KC

GUIDRY, MR

AMELIO, GF

机构：

[1] FAIRCHILD SEMICONDUCTOR,RES & DEV LAB,PALO ALTO,CA 94304

[2] FAIRCHILD CAMERA & INSTR CORP,PALO ALTO,CA

来源：

IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS | 1975年 / 10卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1109/JSSC.1975.1050610

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

收藏

页码：268 / 273

页数：6

相关论文

共 8 条

[1]

AMELIO GF, 1974, MAY P NAECON C DAYT

[2]

AMELIO GF, 1975, MAY NAT COMP C AN

[3]

DAVIS R, 1975, FAIRCHILD J SEMICOND, V3, P20

[4]

GUNSAGAR K, TO BE PUBLISHED

[5]

GUTLOVE N, 1973, C REC NAECON, P166

[6] 4160-BIT C4D SERIAL MEMORY [J].

KRAMBECK, RH ;

RETAJCZYK, TF ;

SILVERSMITH, DJ ;

STRAIN, RJ .

IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, 1974, SC 9 (06) :436-443

[7]

MELON RD, 1972, IEEE J SOLI, V7, P92

[8]

1975, INTEL CHARGE COUPLED