MOCVD-GROWN ALGAAS GAAS HBTS WITH EPITAXIALLY EMBEDDED P+ LAYERS IN EXTRINSIC BASE

被引：7

作者：

TAIRA, K

KAWAI, H

KANEKO, K

机构：

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1987年 / 23卷 / 19期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19870694

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

TRANSISTORS, BIPOLAR

引用

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页码：989 / 990

页数：2

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