TOTAL DOSE INDUCED HOLE TRAPPING AND INTERFACE STATE GENERATION IN BIPOLAR RECESSED FIELD OXIDES

被引：28

作者：

PEASE, R

EMILY, D

BOESCH, HE

机构：

[1] USN,CTR WEAP SUPPORT,CRANE,IN

[2] HARRY DIAMOND LABS,ADELPHI,MD 20783

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1985.4334048

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：3946 / 3952

页数：7

共 11 条

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