EXPERIMENTAL MICROWAVE-SIGNAL-PROPAGATION STUDY ON GAAS-MESFETS USING ESPECIALLY FABRICATED TRANSISTOR STRUCTURES

被引：8

作者：

FRICKE, K

HARTNAGEL, HL

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1985.26077

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：151 / 153

页数：3

相关论文

共 5 条

HEINRICH, W ;

HARTNAGEL, HL .

[2]

HEINRICH W, UNPUB INT J ELECTRON

HIGASHISAKA, A ;

TAKAYAMA, Y ;

HASEGAWA, F .

[4]

KRETSCHMER KH, 1983, RCA REV, V44, P525

[5]

KRETSCHMER KH, UNPUB INT J ELECTRON