ELECTRICAL PROPERTIES OF FLASH-EVAPORATED EPITAXIAL INSB FILMS

被引：13

作者：

JUHASZ, C

ANDERSON, JC

机构：

来源：

PHYSICS LETTERS | 1964年 / 12卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1016/0031-9163(64)91044-3

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

收藏

页码：163 / 164

页数：2

相关论文

共 4 条

[1] ANNEALING EFFECTS IN EVAPORATED INSB FILMS
DALE, EB
SENECAL, G
[J]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1962, 33 (08) : 2526 - &
[2] GUNTHER KG, 1962, COMPOUND SEMICONDUCT, V1, P313
[3] INDIUM ANTIMONIDE - A REVIEW OF ITS PREPARATION, PROPERTIES AND DEVICE APPLICATIONS
HULME, KF
MULLIN, JB
[J]. SOLID-STATE ELECTRONICS, 1962, 5 (JUL-A) : 211 - +
[4] EPITAXY OF COMPOUND SEMICONDUCTORS BY FLASH EVAPORATION
RICHARDS, JL
GALLONE, LM
HART, PB
[J]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1963, 34 (11) : 3418 - &