PROMOTION OF PRACTICAL SIMOX TECHNOLOGY BY THE DEVELOPMENT OF A 100 MA-CLASS HIGH-CURRENT OXYGEN IMPLANTER

被引：6

作者：

IZUMI, K

OMURA, Y

NAKASHIMA, S

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19860532

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：775 / 777

页数：3

相关论文

共 3 条

[1]

HEMMENT PLF, P INT ION ENG C ISIA, P1855

IZUMI, K ;

DOKEN, M ;

ARIYOSHI, H .

[3] THE TOP SILICON LAYER OF SOI FORMED BY OXYGEN ION-IMPLANTATION [J].

PINIZZOTTO, RF ;

VAANDRAGER, BL ;

MATTESON, S ;

LAM, HW ;

MALHI, SDS ;

HAMDI, AH ;

MCDANIEL, FD .