LATERAL P-N-JUNCTION FORMATION IN GAAS MOLECULAR-BEAM EPITAXY BY CRYSTAL PLANE DEPENDENT DOPING

被引：76

作者：

MILLER, DL

机构：

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1985年 / 47卷 / 12期

关键词：

D O I：

10.1063/1.96262

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：1309 / 1311

页数：3

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