PHOTOLUMINESCENCE STUDIES OF ULTRAHIGH-PURITY EPITAXIAL SILICON

被引：10

作者：

THEWALT, MLW ^{[1
]}

STEELE, AG ^{[1
]}

HUFFMAN, JE ^{[1
]}

机构：

[1] ROCKWELL INT CORP,CTR SCI,ANAHEIM,CA 92803

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1986年 / 49卷 / 21期

关键词：

D O I：

10.1063/1.97297

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：1444 / 1446

页数：3

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共 4 条

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