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RADIATION EFFECTS IN METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR TRANSISTORS
被引:9
作者
:
RAYMOND, J
论文数:
0
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0
RAYMOND, J
STEELE, E
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STEELE, E
CHANG, W
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CHANG, W
机构
:
来源
:
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE
|
1965年
/ NS12卷
/ 01期
关键词
:
D O I
:
10.1109/TNS.1965.4323550
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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页码:457 / &
相关论文
共 4 条
[1]
HEIMAN FP, 1962, P IEEE, V51, P1190
[2]
ROOT CD, 1964, IEEE T ELECTRON DEVI, VED11, P294
[3]
CHARACTERISTICS OF METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR TRANSISTORS
SAH, CT
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
SAH, CT
[J].
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES,
1964,
ED11
(07)
: 324
-
+
[4]
WALLMARK JT, 1963, RCA REV, V24, P641
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共 4 条
[1]
HEIMAN FP, 1962, P IEEE, V51, P1190
[2]
ROOT CD, 1964, IEEE T ELECTRON DEVI, VED11, P294
[3]
CHARACTERISTICS OF METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR TRANSISTORS
SAH, CT
论文数:
0
引用数:
0
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SAH, CT
[J].
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES,
1964,
ED11
(07)
: 324
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WALLMARK JT, 1963, RCA REV, V24, P641
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