POWER GAAS MESFET WITH A HIGH DRAIN-SOURCE BREAKDOWN VOLTAGE

被引：34

作者：

FUKUTA, M ^{[1
]}

SUYAMA, K ^{[1
]}

SUZUKI, H ^{[1
]}

NAKAYAMA, Y ^{[1
]}

ISHIKAWA, H ^{[1
]}

机构：

[1] FUJITSU LABS LTD,NAKAHARA KU,KAWASAKI,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/TMTT.1976.1128848

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：312 / 317

页数：6

共 14 条

[1]

BLOCKER TG, 1974, IEEE INT ELECTRON DE, P288

[2]

CAMISA RL, 1975, ISSCC DIG TECH PAPER, P70

[3]

CHEN JTC, 1974, IEEE INT ELECTRON DE, P299

[4]

DRIVER MC, 1973, IEEE INT ELECTRON DE, P393

[5]

FUKUTA M, 1973, ISSCC DIG TECH PAPER, P84

[6]

FUKUTA M, 1974, IEEE INT ELECTRON DE, P285

HEITER, GL .

LIECHTI, CA ;

TILLMAN, RL .

[9]

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[10]

NAPOLI LS, 1973, ISSCC DIG TECH PAPER, P82