HYSTERESIS PHENOMENA IN CHARGING OF SI MOSFET IN QUANTIZING MAGNETIC-FIELD

被引：36

作者：

PUDALOV, VM ^{[1
]}

SEMENCHINSKY, SG ^{[1
]}

EDELMAN, VS ^{[1
]}

机构：

[1] ACAD SCI USSR,INST MICROELECTR TECHNOL PROBLEMS,CHERNOGOLOVKA 142432,USSR

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1098(84)90953-0

中图分类号：

O469 [凝聚态物理学];

学科分类号：

070205 ;

摘要：

引用

页码：713 / 717

页数：5

共 6 条

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