IN/PT OHMIC CONTACTS TO GAAS

被引：23

作者：

MARVIN, DC

IVES, NA

LEUNG, MS

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.335899

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：2659 / 2661

页数：3

共 6 条

[1] INTERACTION OF METALS WITH SEMICONDUCTOR SURFACES [J].

BRILLSON, LJ .

APPLICATIONS OF SURFACE SCIENCE, 1982, 11-2 (JUL) :249-267

[2] OHMIC CONTACTS FOR GAAS DEVICES [J].

COX, RH ;

STRACK, H .

LAKHANI, AA .

[4] GAAS METALLIZATION - SOME PROBLEMS AND TRENDS [J].

WOODALL, JM ;

FREEOUF, JL .

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY, 1981, 19 (03) :794-798

[5]

JCPDS32389 INT CTR D

[6]

JCPDS15869 INT CTR D