INFLUENCE OF H ON THE RECRYSTALLIZATION OF AMORPHOUS SI LAYERS

被引：11

作者：

OBERLIN, JC ^{[1
]}

CHAMI, AC ^{[1
]}

LIGEON, E ^{[1
]}

PRUNIER, C ^{[1
]}

机构：

[1] CEN, DRF, SPH, PSC, F-38041 GRENOBLE, FRANCE

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/S0168-583X(87)80091-5

中图分类号：

TH7 [仪器、仪表];

学科分类号：

0804 ; 080401 ; 081102 ;

摘要：

引用

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页数：4