DONOR-ACCEPTOR PAIR ABSORPTION IN GAAS DIODES AT 2.1-DEGREES-K

被引：4

作者：

SCHAUFELE, RF

STATZ, H

LAVINE, JM

IANNINI, AA

机构：

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1963年 / 3卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1063/1.1723565

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：40 / 41

页数：2

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