DISLOCATION VELOCITIES AND ELECTRONIC DOPING IN SILICON

被引：43

作者：

KULKARNI, SB

WILLIAMS, WS

机构：

[1] UNIV ILLINOIS,DEPT MET,URBANA,IL 61801

[2] UNIV ILLINOIS,MAT RES LAB,URBANA,IL 61801

[3] UNIV ILLINOIS,DEPT PHYS,URBANA,IL 61801

[4] UNIV ILLINOIS,DEPT CERAMIC ENGN,URBANA,IL 61801

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.322433

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：4318 / 4325

页数：8