DIFFUSION-COEFFICIENT OF IRON IN SILICON AT ROOM-TEMPERATURE

被引：48

作者：

NAKASHIMA, H

ISOBE, T

YAMAMOTO, Y

HASHIMOTO, K

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS | 1988年 / 27卷 / 08期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.27.1542

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1542 / 1543

页数：2

共 6 条

[1]

BOURGOIN J, 1983, POINT DEFECTS SEMICO, V2, P164

[2] THE PROPERTIES OF IRON IN SILICON [J].

GRAFF, K ;

PIEPER, H .

[3]

KIMERLING LC, 1981, I PHYS C SER, V59, P217

[4] THE SOLUTION OF IRON IN SILICON [J].

WEBER, E ;

RIOTTE, HG .

[5] TRANSITION-METALS IN SILICON [J].

WEBER, ER .

APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 1983, 30 (01) :1-22

[6]

WUNSTEL K, 1982, APPL PHYS A-MATER, V27, P207, DOI 10.1007/BF00619081