A WSI/TIN/AU GATE SELF-ALIGNED GAAS-MESFET WITH SELECTIVELY GROWN N+-LAYER USING MOCVD

被引：19

作者：

IMAMURA, K

YOKOYAMA, N

OHNISHI, T

SUZUKI, S

NAKAI, K

NISHI, H

SHIBATOMI, A

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS | 1984年 / 23卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.23.L342

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：L342 / L345

页数：4

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共 7 条

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