X-RAY TOPOGRAPHIC STUDIES OF STRAINS IN SILICON IMPLANTED WITH IN IONS AT HIGH DOSES

被引：3

作者：

ITOH, N ^{[1
]}

MORIKAWA, Y ^{[1
]}

NAKAU, T ^{[1
]}

KURODA, H ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV OSAKA PREFECTURE,COLL ENGN,DEPT ELECTR,OSAKA,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.14.2069

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：2069 / 2070

页数：2

共 4 条

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