GATE-BIAS-DEPENDENT LOW-FREQUENCY OSCILLATIONS IN GAAS MISFETS

被引：4

作者：

CANFIELD, PC

FORBES, L

机构：

来源：

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS | 1985年 / 6卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1985.26106

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：227 / 228

页数：2

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共 5 条

[1] LOW-FREQUENCY EMISSIONS FROM DEEP LEVELS IN GAAS-MESFETS [J].

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