ADMITTANCE SPECTROSCOPY MEASUREMENT OF BAND OFFSETS IN STRAINED LAYERS OF INXGA1-XAS GROWN ON INP

被引:79
作者
CAVICCHI, RE
LANG, DV
GERSHONI, D
SERGENT, AM
VANDENBERG, JM
CHU, SNG
PANISH, MB
机构
关键词
D O I
10.1063/1.100878
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
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页码:739 / 741
页数:3
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