A COMPARATIVE-ANALYSIS OF GAAS AND SI ION-IMPLANTED MESFETS

被引：9

作者：

ABUSAID, MF ^{[1
]}

HAUSER, JR ^{[1
]}

机构：

[1] N CAROLINA STATE UNIV,DEPT ELECT & COMP ENGN,RALEIGH,NC 27695

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1986.22593

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：908 / 912

页数：5

共 12 条

[1]

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