HIGH-RATE HOLLOW-CATHODE AMORPHOUS-SILICON DEPOSITION

被引：8

作者：

HORWITZ, CM ^{[1
]}

MCKENZIE, DR ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV SYDNEY, DEPT APPL PHYS, SYDNEY, NSW 2006, AUSTRALIA

来源：

APPLICATIONS OF SURFACE SCIENCE | 1985年 / 22-3卷 / MAY期

关键词：

D O I：

10.1016/0378-5963(85)90225-9

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

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共 12 条

[11]

TANAKA K, 1983, AMORPHOUS SEMICONDUC, V6, P161

[12] EFFECT OF ANNEALING ON THE OPTICAL-PROPERTIES OF PLASMA DEPOSITED AMORPHOUS HYDROGENATED SILICON [J].

TSAI, CC ;

FRITZSCHE, H .

SOLAR ENERGY MATERIALS, 1979, 1 (1-2) :29-42