ELECTRON-MICROSCOPY OF EPITAXIAL SI/CAF2/SI STRUCTURES

被引:24
作者
FATHAUER, RW
LEWIS, N
SCHOWALTER, LJ
HALL, EL
机构
来源
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B | 1985年 / 3卷 / 02期
关键词
D O I
10.1116/1.583129
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
引用
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页码:736 / 738
页数:3
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