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CONTROLLED DOPING OF GERMANIUM LAYERS MADE BY EVAPORATION-CONDENSATION METHOD
被引:2
作者
:
HAIDINGER, W
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HAIDINGER, W
COURVOISIER, JC
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COURVOISIER, JC
JOCHEMS, PJW
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JOCHEMS, PJW
TUMMERS, LJ
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TUMMERS, LJ
机构
:
来源
:
SOLID-STATE ELECTRONICS
|
1966年
/ 9卷
/ 07期
关键词
:
D O I
:
10.1016/0038-1101(66)90096-7
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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相关论文
共 2 条
[1]
EVAPORATION-CONDENSATION METHOD FOR MAKING GERMANIUM LAYERS FOR TRANSISTOR PURPOSES
COURVOISIER, JC
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COURVOISIER, JC
HAIDINGER, W
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HAIDINGER, W
JOCHEMS, PJW
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JOCHEMS, PJW
TUMMERS, LJ
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TUMMERS, LJ
[J].
SOLID-STATE ELECTRONICS,
1963,
6
(03)
: 265
-
&
[2]
HAIDINGER W, 1963, VIDE, V104, P141
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共 2 条
[1]
EVAPORATION-CONDENSATION METHOD FOR MAKING GERMANIUM LAYERS FOR TRANSISTOR PURPOSES
COURVOISIER, JC
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COURVOISIER, JC
HAIDINGER, W
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HAIDINGER, W
JOCHEMS, PJW
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JOCHEMS, PJW
TUMMERS, LJ
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TUMMERS, LJ
[J].
SOLID-STATE ELECTRONICS,
1963,
6
(03)
: 265
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HAIDINGER W, 1963, VIDE, V104, P141
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