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EPITAXIAL DEPOSITION OF SELENIUM
被引:6
作者
:
SAKAI, Y
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0
SAKAI, Y
FUKUDA, H
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0
FUKUDA, H
机构
:
来源
:
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
|
1968年
/ 7卷
/ 03期
关键词
:
D O I
:
10.1143/JJAP.7.303
中图分类号
:
O59 [应用物理学];
学科分类号
:
摘要
:
引用
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页码:303 / &
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共 3 条
[1]
FUKUDA H, 1967, SPR ANN M JAP SOC AP
[2]
GROWTH OF LARGE SINGLE CRYSTALS OF HEXAGONAL SELENIUM FROM MELT AT HIGH PRESSURES
[J].
HARRISON, DE
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HARRISON, DE
;
TILLER, WA
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TILLER, WA
.
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1965,
36
(05)
:1680
-&
[3]
EPITAXIAL DEPOSITION OF GERMANIUM BY BOTH SPUTTERING AND EVAPORATION
[J].
KRIKORIAN, E
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KRIKORIAN, E
;
SNEED, RJ
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SNEED, RJ
.
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1966,
37
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共 3 条
[1]
FUKUDA H, 1967, SPR ANN M JAP SOC AP
[2]
GROWTH OF LARGE SINGLE CRYSTALS OF HEXAGONAL SELENIUM FROM MELT AT HIGH PRESSURES
[J].
HARRISON, DE
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HARRISON, DE
;
TILLER, WA
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TILLER, WA
.
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1965,
36
(05)
:1680
-&
[3]
EPITAXIAL DEPOSITION OF GERMANIUM BY BOTH SPUTTERING AND EVAPORATION
[J].
KRIKORIAN, E
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KRIKORIAN, E
;
SNEED, RJ
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SNEED, RJ
.
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1966,
37
(10)
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