EXTREMELY UNIFORM THRESHOLD VOLTAGE DISTRIBUTION OF GAAS-FET MADE ON LEC-GROWN CRYSTALS

被引：5

作者：

KASAHARA, J

ARAI, M

WATANABE, N

机构：

[1] Sony Corp, Research Cent, Yokohama,, Jpn, Sony Corp, Research Cent, Yokohama, Jpn

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19850738

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页数：3