CONTACTS FOR ELECTRICAL CHARACTERIZATION OF SEMIINSULATING GAAS

被引：3

作者：

SIEGEL, W ^{[1
]}

KUHNEL, G ^{[1
]}

FELIX, S ^{[1
]}

SCHNEIDER, HA ^{[1
]}

机构：

[1] VEB SPURENMET FREIBERG,FREIBERG,FED REP GER

来源：

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH | 1986年 / 93卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1002/pssa.2210930263

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：K211 / K214

页数：4

共 6 条

[1] SOME PROPERTIES OF SEMI-INSULATING AND SI-IMPLANTED GAAS [J].

BHATTACHARYA, PK ;

RHEE, JK .

KITAHARA, K ;

NAKAI, K ;

SHIBATOMI, A ;

OHKAWA, S .

[3]

KUHNEL G, UNPUB

[4]

Siegel W., 1979, Experimentelle Technik der Physik, V27, P79

[5]

SIEGEL W, Patent No. 2753802

WINTER, JJ ;

LEUPOLD, HA ;

ROSS, RL ;

BALLATO, A .