THERMAL DONOR AND NEW DONOR GENERATION IN SOI MATERIAL FORMED BY OXYGEN IMPLANTATION

被引：13

作者：

CRISTOLOVEANU, S

PUMFREY, J

SCHEID, E

HEMMENT, PLF

ARROWSMITH, RP

机构：

[1] UNIV SURREY,DEPT ELECTR & ELECT ENGN,GUILDFORD GU2 5XH,SURREY,ENGLAND

[2] BRITISH TELECOM RES LABS,IPSWICH IP5 7RE,SUFFOLK,ENGLAND

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19850566

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页数：3

共 4 条