TIN DOPING OF GALLIUM-ARSENIDE BY METAL ORGANIC-CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION (MOCVD)

被引：15

作者：

PARSONS, JD

KRAJENBRINK, FG

机构：

来源：

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY | 1983年 / 130卷 / 08期

关键词：

D O I：

10.1149/1.2120093

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

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页码：1780 / 1781

页数：2

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共 2 条

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