SUBSTRATE-IMPURITIES EFFECTS ON GAAS-MESFETS

被引：15

作者：

ANHOLT, R

SIGMON, TW

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1007/BF02652224

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：5 / 10

页数：6

共 28 条

[1] MODEL OF THRESHOLD-VOLTAGE FLUCTUATIONS IN GAAS-MESFETS [J].

ANHOLT, R ;

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