MONTE-CARLO SIMULATION OF CURRENT TRANSPORT IN FORWARD-BIASED SCHOTTKY-BARRIER DIODES

被引：30

作者：

BACCARANI, G

MAZZONE, AM

机构：

[1] UNIV BOLOGNA,IST ELETTR,BOLOGNA,ITALY

[2] CNR,LAB LAMEL,VIA CASTAGNOLI 1,BOLOGNA,ITALY

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19760048

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：59 / 60

页数：2

共 4 条

[1]

BACCARANI G, TO BE PUBLISHED

[2] CURRENT TRANSPORT IN METAL-SEMICONDUCTOR BARRIERS [J].

CROWELL, CR ;

SZE, SM .

FAWCETT, W ;

BOARDMAN, AD ;

SWAIN, S .

[4] HIGH-FIELD DIFFUSIVITY OF ELECTRONS IN SILICON [J].

PERSKY, G ;

BARTELINK, DJ .