REPRODUCIBLE LOW-RESISTIVITY AUMN OHMIC CONTACT FOR PARA-TYPE GAAS

被引：11

作者：

DUBONCHEVALLIER, C

DUCHENOIS, AM

BRESSE, JF

ANKRI, D

机构：

[1] CNET, Lab de Bagneux, Bagneux, Fr, CNET, Lab de Bagneux, Bagneux, Fr

来源：

关键词：

P-TYPE OHMIC CONTACTS;

D O I：

10.1049/el:19850433

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页数：2

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