CHARACTERIZATION OF TUNGSTEN-RELATED DEEP LEVELS IN BULK SILICON CRYSTAL

被引:25
作者
FUJISAKI, Y
ANDO, T
KOZUKA, H
TAKANO, Y
机构
关键词
D O I
10.1063/1.341045
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
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页码:2304 / 2306
页数:3
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