EFFECT OF IMPURITY CONCENTRATION ON MAXIMUM CW POWER FROM GALLIUM ARSENIDE LASERS AT 77 DEGREES K - (EFFECT OF CARRIER CONCENTRATION - 77 DEGREES K - E/T)

被引：4

作者：

HERGENROTHER, KM

FELDMAN, JM

机构：

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1966年 / 9卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1063/1.1754606

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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[1]

HERGENROTHER K, TO BE PUBLISHED

[2] SPONTANEOUS + STIMULATED RECOMBINATION RADIATION IN SEMICONDUCTORS [J].

LASHER, G ;

STERN, F .

PHYSICAL REVIEW A-GENERAL PHYSICS, 1964, 133 (2A) :A553-&

[3] HIGH POWER CW OPERATION OF GAAS INJECTION LASERS AT 77 DEGREES K [J].

MARINACE, JC .

IBM JOURNAL OF RESEARCH AND DEVELOPMENT, 1964, 8 (05) :543-&