SOME PROPERTIES OF DIRTY CONTACTS ON SEMICONDUCTORS AND RESISTIVITY MEASUREMENTS BY A 2 TERMINAL METHOD

被引：11

作者：

HARMAN, GG

HIGIER, T

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.1728927

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：2198 / &

共 30 条

HARMAN, GG ;

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