UNIVERSAL STAIN-ETCHANT FOR INTERFACES IN III-V COMPOUNDS

被引：51

作者：

OLSEN, GH ^{[1
]}

ETTENBERG, M ^{[1
]}

机构：

[1] RCA LABS, PRINCETON, NJ 08540 USA

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.1663201

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：5112 / 5114

页数：3

相关论文

共 6 条

[1] ETCHING OF DISLOCATIONS ON LOW-INDEX FACES OF GAAS
ABRAHAMS, MS
BUIOCCHI, CJ
[J]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1965, 36 (09) : 2855 - &
[2] BUIOCCHI CJ, PRIVATE COMMUNICATIO
[3] ENSTROM RE, 1970, 1970 P S GAAS AACH G
[4] GATOS HC, 1963, PROGR SEMICONDUCTORS, V7
[5] HAWRYLO F, 1963, PEM2348 RCA ENG MEM
[6] Holmes P. J., 1962, ELECTROCHEMISTRY SEM