THERMALLY ACCELERATED DEGRADATION OF 1.3 MU-M BH LASERS

被引：8

作者：

NAKANO, Y

FUKUDA, M

SUDO, H

FUJITA, O

IWANE, G

机构：

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1983年 / 19卷 / 15期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19830386

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

收藏

页码：567 / 568

页数：2

相关论文

共 3 条

[1] DOUBLE-CHANNEL PLANAR BURIED-HETEROSTRUCTURE LASER DIODE WITH EFFECTIVE CURRENT CONFINEMENT [J].

MITO, I ;

KITAMURA, M ;

KOBAYASHI, K ;

KOBAYASHI, K .

ELECTRONICS LETTERS, 1982, 18 (22) :953-954

[2] RELIABILITY OF INGAASP INP BURIED HETEROSTRUCTURE LASERS [J].

MIZUISHI, KI ;

HIRAO, M ;

TSUJI, S ;

SATO, H ;

NAKAMURA, M .

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1982, 21 (01) :359-364

[3]

NAKANO Y, UNPUB IEEE J QUANTUM