DOUBLE-CHANNEL PLANAR BURIED-HETEROSTRUCTURE LASER DIODE WITH EFFECTIVE CURRENT CONFINEMENT

被引：62

作者：

MITO, I

KITAMURA, M

KOBAYASHI, K

KOBAYASHI, K

机构：

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1982年 / 18卷 / 22期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19820655

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：953 / 954

页数：2

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共 1 条

[1] INGAASP PLANAR BURIED HETEROSTRUCTURE LASER DIODE (PBH-LD) WITH VERY LOW THRESHOLD CURRENT [J].

MITO, I ;

KITAMURA, M ;

KAEDE, K ;

ODAGIRI, Y ;

SEKI, M ;

SUGIMOTO, M ;

KOBAYASHI, K .

ELECTRONICS LETTERS, 1982, 18 (01) :2-3