ELECTRON AND HOLE MOBILITY IN MODULATION DOPED GAINAS-AIINAS STRAINED LAYER SUPERLATTICE

被引：23

作者：

HIROSE, K ^{[1
]}

MIZUTANI, T ^{[1
]}

NISHI, K ^{[1
]}

机构：

[1] NEC CORP,OPTOELECTR RES LABS,MIYAMAE KU,KAWASAKI,KANAGAWA 213,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0022-0248(87)90379-4

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE

引用

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页数：6