GALLIUM-ARSENIDE SCHOTTKY POWER RECTIFIERS

被引：15

作者：

BALIGA, BJ

SEARS, AR

BARNICLE, MM

CAMPBELL, PM

GARWACKI, W

WALDEN, JP

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1985.22085

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1130 / 1134

页数：5

共 4 条

[1] LOW-TEMPERATURE SINTERED AUGE/GAAS OHMIC CONTACT [J].

AINA, O ;

KATZ, W ;

BALIGA, BJ ;

ROSE, K .

BALIGA, BJ .

[3] BREAKDOWN CHARACTERISTICS OF GALLIUM-ARSENIDE [J].

BALIGA, BJ ;

EHLE, R ;

SHEALY, JR ;

GARWACKI, W .

ELECTRON DEVICE LETTERS, 1981, 2 (11) :302-304

[4]

SEARS AR, 1983, 163RD EL SOC M, P541