PROGRAMMING OF ROMS AFTER METAL DEFINITION USING MEV ION-IMPLANTATION

被引：4

作者：

PRAMANIK, D ^{[1
]}

SAXENA, AN ^{[1
]}

机构：

[1] GOULD ELECT SCD,SANTA CLARA,CA 95051

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0168-583X(87)90808-1

中图分类号：

TH7 [仪器、仪表];

学科分类号：

0804 ; 080401 ; 081102 ;

摘要：

引用

页码：116 / 119

页数：4

共 6 条

[1]

CHEUNG NW, 1985, P SOC PHOTO OPTICAL, V50, P2

[2] EFFECT OF ELECTRON TRAPPING ON IGFET CHARACTERISTICS [J].

NING, TH ;

OSBURN, CM ;

YU, HN .

[3] MEV IMPLANTATION FOR VLSI [J].

PRAMANIK, D ;

SAXENA, AN .

[4]

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[5]

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[6]

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