FABRICATION OF NANOSTRUCTURE BY ANISOTROPIC WET ETCHING OF SILICON

被引：12

作者：

SHIMIZU, K

ODA, S

MATSUMURA, M

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS | 1988年 / 27卷 / 09期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.27.L1778

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：L1778 / L1779

页数：2

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共 2 条

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